Kyocera porta la stampa SiSiC a Selb: additive “binder‑jet + infiltration” per la ceramica estrema
Processo proprietario StarCeram AM‑Si per strutture fino a 325 × 270 × 130 mm, con consulenza di design bionico interna.
Al suo centro europeo di Selb, Kyocera Fineceramics Europe avvia la produzione additiva di componenti in silicio‑infiltrato silicio carburo (SiSiC), materiale d’elezione per semiconduttori e pompe chimiche.
Il SiSiC tradizionale è formato per pressatura isostatica e sinterizzato a 2 200 °C; la geometria resta limitata. Il binder‑jetting con infiltrazione consente pareti sottili, canali di raffreddamento e strutture reticolari.
Novità
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Materiale StarCeram AM‑Si con granulometria 25 µm.
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Infiltrazione a 1 600 °C in atmosfera controllata, porosità residua < 1 %.
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Servizio design‑consulting per topologia ottimizzata (‑35 % peso).
Dettagli tecnici
| Proprietà | SiSiC AM | SiSiC convenzionale |
|---|---|---|
| Resistenza flessione | 320 MPa | 300 MPa |
| Conducibilità termica | 180 W/m K | 160 W/m K |
| CTE (20‑800 °C) | 4,0 µm/m K | 4,5 µm/m K |
Implicazioni e impatto
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Semiconductor: piastre hot‑chuck con micro‑canali integrati.
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Aerospace: ugelli per motori ibridi, con saving masse > 40 %.
Prezzi e disponibilità
Prototipi su richiesta da settembre 2025; serie min. 20 pz con lead‑time 6‑8 settimane. Prezzi non divulgati.
Confronto/alternative
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Lithoz LCM raggiunge risoluzioni più fini (25 µm) ma volumi minori.
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CoorsTek propone SiSiC per stereolitografia ma ancora fase pilota.
Kyocera unisce materiali proprietari e infrastruttura produttiva consolidata, offrendo al mercato europeo una via industriale alla ceramica additiva high‑end.
